CRF微波等離子體清洗設備的基本結構和工藝原理：
       CRF微波等離子體清洗設備的清洗過程是：在真空腔內(nèi)壓力到一定范圍并充入工藝氣體。當腔內(nèi)壓力為動態(tài)平衡時，氧、氬、氫等工藝氣體電離微波源振蕩產(chǎn)生的高頻交變電磁場，產(chǎn)生等離子體，活性等離子體物理轟擊和化學被清洗物體為半導體。實驗證明了這一點。在晶片生產(chǎn)中處理感光樹脂帶。微波等離子體的使用對腔體和腔門沒有氧化損傷反應，使被清洗物體的表面物質變成顆粒和氣體物質，借助抽真空排出，達到清洗的目的。微波放電是無電極放電，防止濺射造成的污染，同時使等離子體均勻純凈，密度更高。適用于高純度物質的制備和處理，工藝效率更高。借助操作控制系統(tǒng)設置工藝參數(shù)，控制微波等離子體清洗設備的強度和密度，以滿足不同清洗部件的工藝要求。

        在密封腔中，反應等離子體清潔和激活密封帶，主要是指自由基和基底表面的物理和化學反應。與其他頻率相比，微波頻率有兩個決定性優(yōu)勢，一是離子濃度最高。微波等離子體中的反應顆粒數(shù)量遠遠大于RF等離子體中的等離子體數(shù)量會使反應速度更快，反應時間更短。其次，等離子體的自然特性之一是在直接暴露在等離子體基體上產(chǎn)生自偏壓。這種自偏壓取決于微波等離子體清洗設備的激勵頻率。例如頻率為2.45GHz微波一般只需要5.15伏。在相同的情形下，RF自偏壓等離子體需要100伏。