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CRF plasma 等離子清洗機(jī)

支持材料 測(cè)試、提供設(shè)備 試機(jī)

20年專注等離子清洗機(jī)研發(fā)生產(chǎn)廠家

plasma等離子處理對(duì)金屬化薄膜阻隔性能的影響

        plasma等離子處理技術(shù)是利用氣體輝光放電現(xiàn)象對(duì)材料表面進(jìn)行處理的一-種新技術(shù)。氣體輝光放電是相對(duì)于氣體電暈放電、電弧放電而言的一種放電狀態(tài), 向處于真空中的兩個(gè)電極通人- -定量的氣體一通 常所使用的氣體是氬撖氧氣的混合氣體,當(dāng)外加直流電壓超過其起始放電電壓時(shí),便產(chǎn)生輝光放電。

plasma等離子處理

       氣體輝光放電時(shí),從陰極發(fā)出的電子經(jīng)過電場(chǎng).加速,獲得能量撞擊氣體分子,使氣體分子激發(fā),在等離子區(qū)產(chǎn)生了大量的正離子(等離子區(qū)任何位置的電子濃度和正離子濃度相等,所以稱等離子區(qū)),這些正離子在電場(chǎng)作用下加速向陰極移動(dòng),轟擊靶材和薄膜表面。Ar的作用是維持正常的輝光放電,同時(shí)氬離子(正離子)也不斷轟擊薄膜表面,產(chǎn)生級(jí)聯(lián)碰撞,將油污、灰塵等污物分子濺射出去,清潔薄膜表面。由于氬離子的轟擊而從靶材上濺射出的粒子稱為靶材粒子,靶材粒子和氬離子對(duì)薄膜的表面的轟擊可以起到“剝蝕”作用,使薄膜表面“糙化”。氧氣在輝光放電時(shí)形成氧自由基,經(jīng)加速能量能達(dá)到1keV 左右,而一般有機(jī)物的化學(xué)鍵能通常只有大約10eV左右,氧自由基能夠輕易破壞原來的化學(xué)鍵,和薄膜中的甲基反應(yīng),生成羥基羧基、羰基等極性基團(tuán),提高了薄膜的表面極性。

plasma等離子處理

         薄膜基材 plasma等離子處理能有效提高薄膜的表面性能,提高表面潤(rùn)濕張力并延緩其衰減,明顯提高薄膜鍍鋁后的鋁層附著牢度。并且 plasma等離子處理沒有電暈處理中存在的背面電暈影響熱封性能的情況,而且由于薄膜受熱少,薄膜的物理機(jī)械性能在處理中沒有改變。
        氣體對(duì)材料的滲透機(jī)理,從微觀來看,是分子的擴(kuò)散的過程。即氣體分子在高壓側(cè)的壓力作用下,溶解于材料中,然后,由材料的高濃度區(qū)向低濃度區(qū)進(jìn)行擴(kuò)散,最后,在低壓側(cè)- -面解吸。因而, plasma等離子處理中等離子體結(jié)合氣體對(duì)材料的滲透性就取決于該氣體在這種材料中的擴(kuò)散能力與溶解能力。

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